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东芝推出第三代碳化硅mosfet可降低开关损耗-pg电子娱乐平台

时间:2023-09-06 08:01  来源:盖世汽车  编辑:醉言   阅读量:13650   

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用有助于降低开关损耗4引脚to-247-4l(x)封装的碳化硅(sic)mosfet,即twxxxzxxxc系列。该产品采用东芝最新的第三sic mosfet芯片,用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款,其中5款额定电压为650v,另外五款额定电压为1200v,并均已开始批量出货。

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