盖世汽车讯 7月17日，无晶圆厂制造商alliance memory宣布扩大其高速cmos移动低功耗sdram的产品范围，推出四款不同密度的新型lpddr4x器件:2gb as4c128m16md4v-062ban、4gb as4c256m16md4v-062ban、8gb as4c512m16md4v-053bin和16gb as4c512m32md4v-053bin，可在200球fbga封装中，额定功率降低约为50%，从而实现更高的能效。
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